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西安理工大学电力电子技术
共阴极三相半波可控整流电路的自然换相点是()
A.
交流相电压的过零点
B.
本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C.
比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
D.
比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在两不同相的上、下二个开关元件之间进行。
电流型逆变电路的特点是：直流侧接（），开关器件不反并联二极管，输出电流波形为矩形波。
A.
三极管
B.
二极管
C.
大电感
D.
大电容
电力电子器件的驱动一般可分为电流型驱动和（）型驱动。
A.
电子
B.
电动
C.
电力
D.
电压
单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（）
A.
B.
/2
C.
D.
快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）
A.
功率MOSFET
B.
IGBT
C.
晶闸管
D.
功率晶体管
PWM控制中的载波比表达式为N=fc/fr。
A.
错
B.
对
晶闸管并联时，给每只管子串联相同小电抗器是（）措施。
A.
均流
B.
动态均压
C.
静态均压
D.
不定
在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。
A.
GTR、IGBT
B.
GTO、电力MOSFET
C.
GTR、GTO、
D.
电力MOSFET、IGBT
单相交交变频电路由输出电压方向决定正组桥工作或反组桥工作，工作在逆变状态，则是根据（）确定。
A.
电流方向
B.
电流、电压不同向
C.
电流、电压同向
D.
电压方向
不适于电网换流的电路是（）
A.
可控硅整流电路
B.
有源逆变电路
C.
无源逆变电路
D.
交流调压电路
当晶闸管承受反向电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）。
A.
关断状态
B.
不定
C.
饱和状态
D.
导通状态
SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和（）
A.
四极性
B.
多极性
C.
三极性
D.
单极性
在整流电路中，由于变压器漏抗的影响，出现换相重叠角γ，此时输出电压平均值Ud()。
A.
增大
B.
不变
C.
降低
三相桥式全控整流电路中需保证同时导通的2个晶闸管均有脉冲，一般常用（）触发。
A.
1脉冲
B.
4脉冲
C.
双窄脉冲
D.
3脉冲
A.
交流相电压的过零点
B.
本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C.
比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
D.
比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在两不同相的上、下二个开关元件之间进行。
电流型逆变电路的特点是：直流侧接（），开关器件不反并联二极管，输出电流波形为矩形波。
A.
三极管
B.
二极管
C.
大电感
D.
大电容
电力电子器件的驱动一般可分为电流型驱动和（）型驱动。
A.
电子
B.
电动
C.
电力
D.
电压
单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（）
A.
B.
/2
C.
D.
快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）
A.
功率MOSFET
B.
IGBT
C.
晶闸管
D.
功率晶体管
PWM控制中的载波比表达式为N=fc/fr。
A.
错
B.
对
晶闸管并联时，给每只管子串联相同小电抗器是（）措施。
A.
均流
B.
动态均压
C.
静态均压
D.
不定
在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。
A.
GTR、IGBT
B.
GTO、电力MOSFET
C.
GTR、GTO、
D.
电力MOSFET、IGBT
单相交交变频电路由输出电压方向决定正组桥工作或反组桥工作，工作在逆变状态，则是根据（）确定。
A.
电流方向
B.
电流、电压不同向
C.
电流、电压同向
D.
电压方向
不适于电网换流的电路是（）
A.
可控硅整流电路
B.
有源逆变电路
C.
无源逆变电路
D.
交流调压电路
当晶闸管承受反向电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）。
A.
关断状态
B.
不定
C.
饱和状态
D.
导通状态
SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和（）
A.
四极性
B.
多极性
C.
三极性
D.
单极性
在整流电路中，由于变压器漏抗的影响，出现换相重叠角γ，此时输出电压平均值Ud()。
A.
增大
B.
不变
C.
降低
三相桥式全控整流电路中需保证同时导通的2个晶闸管均有脉冲，一般常用（）触发。
A.
1脉冲
B.
4脉冲
C.
双窄脉冲
D.
3脉冲