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题目内容
(西安理工大学电力电子技术)
在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中,可能因静电积累损坏的器件是()。
A.
GTR、IGBT
B.
GTO、电力MOSFET
C.
GTR、GTO、
D.
电力MOSFET、IGBT
A.
GTR、IGBT
B.
GTO、电力MOSFET
C.
GTR、GTO、
D.
电力MOSFET、IGBT
参考答案