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周口师范学院固体物理学
[单选题,10分] 属于包晶反应的是（）
A.L+A→B
B.L+B→C+B
C.L→A+B
D.A+B→L
4[单选题,10分] 热膨胀的本质是（） A.原子间平均距离随温度升高而减少。 B.原子直径增大。 C.原子间平均距离温度升高而增大。 D.晶体结构发生变化，点阵常数增大。
[单选题,10分] 蠕变的正确说法是（） A.物体在恒定应力作用下形变随温度升高逐渐增大的现象。 B.物体在恒定应力作用下形变随时间逐渐增大的现象。 C.物体在恒定应力作用下变形很小。 D.物体在恒定应力下变形不规则。
[单选题,10分] 以下说法错误的是（） A.脆性断裂通常沿特定晶面进行，作用的应力垂直于该晶面。 B.陶瓷材料受外力失效主要是由组织缺陷引起的。 C.热电偶测温是热电材料近几年才开始应用的。 D.磁畴取无向大序时，磁畴向量之和为零。
[单选题,10分] 影响铸锭性能主要晶粒区是（） A.表面细晶粒区 B.中心等轴晶 C.柱状晶粒区 D.三个区影响相同
[单选题,10分] 面心立方结构晶体的滑移系数目为：() A.12 B.8 C.24 D.16
9[单选题,10分] 立方密堆积是由（）层原子密堆积排列而成。 A.1 B.2 C.3 D.4
0[单选题,10分] NaCl晶体属于（）。 A.离子晶体 B.金属晶体 C.分子晶体 D.共价晶体
[单选题,10分] 纯金属结晶时，冷却速度越快，则实际结晶温度（） A.越低； B.越高； C.越接近理论结晶温度； D.没有变化。
单选题,10分] 固溶体的晶体结构是（） A.溶质的晶型； B.溶剂的晶型； C.即非溶质也非溶剂的晶型； D.上述说法均不对
[单选题,10分] 钢中的珠光体是（） A.单相固溶体； B.两相混合物； C.间隙化合物； D.间隙相。
[单选题,10分] 为了改变工具钢的硬度以便切削加工，可进行(） A.完全退火； B.正火； C.球化退火；淬火。 D.以上都不对
[单选题,10分] 马氏体的硬度主要取决于（） A.冷却速度； B.加热温度； C.保温时间； D.含碳量。
6[单选题,10分] C-Z法生产单晶硅棒工艺中，控制位错产生的工序是（） A.放肩生长； B.等径生长； C.缩颈生长与尾部生长； D.上述说法均不对。
[单选题,10分] W18Cr4V钢1280oC淬火、560oC三次回火后的组织是（） A.回火屈氏体； B.下贝氏体、碳化物和残余奥氏体； C.回火索氏体； D.回火马氏体、碳化物和极少量残余奥氏体。
4[单选题,10分] 热膨胀的本质是（） A.原子间平均距离随温度升高而减少。 B.原子直径增大。 C.原子间平均距离温度升高而增大。 D.晶体结构发生变化，点阵常数增大。
[单选题,10分] 蠕变的正确说法是（） A.物体在恒定应力作用下形变随温度升高逐渐增大的现象。 B.物体在恒定应力作用下形变随时间逐渐增大的现象。 C.物体在恒定应力作用下变形很小。 D.物体在恒定应力下变形不规则。
[单选题,10分] 以下说法错误的是（） A.脆性断裂通常沿特定晶面进行，作用的应力垂直于该晶面。 B.陶瓷材料受外力失效主要是由组织缺陷引起的。 C.热电偶测温是热电材料近几年才开始应用的。 D.磁畴取无向大序时，磁畴向量之和为零。
[单选题,10分] 影响铸锭性能主要晶粒区是（） A.表面细晶粒区 B.中心等轴晶 C.柱状晶粒区 D.三个区影响相同
[单选题,10分] 面心立方结构晶体的滑移系数目为：() A.12 B.8 C.24 D.16
9[单选题,10分] 立方密堆积是由（）层原子密堆积排列而成。 A.1 B.2 C.3 D.4
0[单选题,10分] NaCl晶体属于（）。 A.离子晶体 B.金属晶体 C.分子晶体 D.共价晶体
[单选题,10分] 纯金属结晶时，冷却速度越快，则实际结晶温度（） A.越低； B.越高； C.越接近理论结晶温度； D.没有变化。
单选题,10分] 固溶体的晶体结构是（） A.溶质的晶型； B.溶剂的晶型； C.即非溶质也非溶剂的晶型； D.上述说法均不对
[单选题,10分] 钢中的珠光体是（） A.单相固溶体； B.两相混合物； C.间隙化合物； D.间隙相。
[单选题,10分] 为了改变工具钢的硬度以便切削加工，可进行(） A.完全退火； B.正火； C.球化退火；淬火。 D.以上都不对
[单选题,10分] 马氏体的硬度主要取决于（） A.冷却速度； B.加热温度； C.保温时间； D.含碳量。
6[单选题,10分] C-Z法生产单晶硅棒工艺中，控制位错产生的工序是（） A.放肩生长； B.等径生长； C.缩颈生长与尾部生长； D.上述说法均不对。
[单选题,10分] W18Cr4V钢1280oC淬火、560oC三次回火后的组织是（） A.回火屈氏体； B.下贝氏体、碳化物和残余奥氏体； C.回火索氏体； D.回火马氏体、碳化物和极少量残余奥氏体。