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河南城建学院模拟电子技术
差动放大器两个输入端的增益电压分别是 2mV 和-2mV，则输入的共模电压是（ ）mV 。
A.
3
B.
2
C.
0
运算放大器的输入级是（ ） 。 A. 功率放大器 B. 差动放大器 C. 电流放大器
集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ( )。 A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻
一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将（ ） 。 A. 交越失真 B. 线性失真 C. 截止失真
交越失真是（ ）放大器特有的一种非线性失真 。 A. 功率 B. 电压 C. 电 流 D. 阻容
在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍 数必须满足( )才能起振。 A. AV = 1 B. AV = 3 C. AV ＜ 3 D. AV ＞3
滞回比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中， 其输出状态将发生( )次跃变。 A. 1 B. 2 C. 3 D. 0
利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是 ( ) A. f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B. f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C. fs<f<fp时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 D. fs<f<fp时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器
杂质半导体分为 N 型和 P 型, 自由电子是（ ）型半导体的多子, 空穴是（ ）型半导体的多子 。 A. N, P B. N, N C. P, P D. P, N
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导体称为P型半导体。 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
运算放大器的输入级是（ ） 。 A. 功率放大器 B. 差动放大器 C. 电流放大器
集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ( )。 A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻
一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将（ ） 。 A. 交越失真 B. 线性失真 C. 截止失真
交越失真是（ ）放大器特有的一种非线性失真 。 A. 功率 B. 电压 C. 电 流 D. 阻容
在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍 数必须满足( )才能起振。 A. AV = 1 B. AV = 3 C. AV ＜ 3 D. AV ＞3
滞回比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中， 其输出状态将发生( )次跃变。 A. 1 B. 2 C. 3 D. 0
利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是 ( ) A. f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B. f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C. fs<f<fp时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 D. fs<f<fp时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器
杂质半导体分为 N 型和 P 型, 自由电子是（ ）型半导体的多子, 空穴是（ ）型半导体的多子 。 A. N, P B. N, N C. P, P D. P, N
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导体称为P型半导体。 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6