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郑州城市职业学院电子技术
根据导电沟道的不同，场效应管可分为
A.NPN型和PNP型
B.增强型和耗尽型
C.N沟道和P沟道
D.结型和绝缘栅型
某仪表中放大电路，要求输入电压大、输出电流稳定，应选用（ ）负反馈
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
对于嗲管甲类功率放大电路，在信号不失真的情况下，输入信号越大，输出功率也越大，电源提供的功率
A.减小
B.增加
C.不变
D.可能减小，也可能增大
已知信号源的内阻很高，要求充分发挥负反馈作用，应选
A.并联负反馈
B.串联负反馈
C.电压负反馈
D.电流负反馈
集成运算放大电路的输入级采用差动放大电路是因为可以
A.增大放大倍数
B. 减小温漂
C.提高输入阻值
D.进行阻抗变换
直接耦合多级放大电路产生零点漂移的主要原因是
A.环境温度的变化
B.电压增益太大
C.采用直接耦合的方式
D.采用阻容耦合的方式
为了提高输入电阻Ri，减小电路中的零点漂移，一般情况下，集成运算放大电路的输入及电路常采用
A.基本共射放大电路
B.射极跟随器
C.差动放大电路
D.共基极电路
稳压二极管在稳压电路中起稳压作用是，应工作在
A.正向导通状态
B.反向截止状态
C.反向击穿状态
D.反向饱和状态
在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号位1kHz、5mV正弦波是，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
有两个电压放大倍数Au=100的放大电路A和B,分别对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在相同的负载电阻RL 的情况下，测得U0A=4.5V,U0B=4.6V,则知B放大电路的
A. 输入电阻小
B. 输入电阻大
C. 输出电阻小
D. 输出电阻大
某放电电路在负载开路时输出电压为4.5V，当接入4kΩ的负载电阻后，输出电压下降为4V，则该放大电路的输出电阻为
A.0.5kΩ
B.1.5kΩ
C.2.5kΩ
D.3.5kΩ
工作在放大状态下的理想运放，运放的两个输入端的电流均为零，称此为
A.虚短
B.虚断
C.虚联
D.虚地
晶体三极管的工作在放大状态，需要满足的条件是
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
N型半导体中多数载流子是
A.自由电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子
本征半导体硅或锗中掺中微量的三价元素后，其中多数载流子是
A.自由电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子
A.NPN型和PNP型
B.增强型和耗尽型
C.N沟道和P沟道
D.结型和绝缘栅型
某仪表中放大电路，要求输入电压大、输出电流稳定，应选用（ ）负反馈
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
对于嗲管甲类功率放大电路，在信号不失真的情况下，输入信号越大，输出功率也越大，电源提供的功率
A.减小
B.增加
C.不变
D.可能减小，也可能增大
已知信号源的内阻很高，要求充分发挥负反馈作用，应选
A.并联负反馈
B.串联负反馈
C.电压负反馈
D.电流负反馈
集成运算放大电路的输入级采用差动放大电路是因为可以
A.增大放大倍数
B. 减小温漂
C.提高输入阻值
D.进行阻抗变换
直接耦合多级放大电路产生零点漂移的主要原因是
A.环境温度的变化
B.电压增益太大
C.采用直接耦合的方式
D.采用阻容耦合的方式
为了提高输入电阻Ri，减小电路中的零点漂移，一般情况下，集成运算放大电路的输入及电路常采用
A.基本共射放大电路
B.射极跟随器
C.差动放大电路
D.共基极电路
稳压二极管在稳压电路中起稳压作用是，应工作在
A.正向导通状态
B.反向截止状态
C.反向击穿状态
D.反向饱和状态
在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号位1kHz、5mV正弦波是，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
有两个电压放大倍数Au=100的放大电路A和B,分别对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在相同的负载电阻RL 的情况下，测得U0A=4.5V,U0B=4.6V,则知B放大电路的
A. 输入电阻小
B. 输入电阻大
C. 输出电阻小
D. 输出电阻大
某放电电路在负载开路时输出电压为4.5V，当接入4kΩ的负载电阻后，输出电压下降为4V，则该放大电路的输出电阻为
A.0.5kΩ
B.1.5kΩ
C.2.5kΩ
D.3.5kΩ
工作在放大状态下的理想运放，运放的两个输入端的电流均为零，称此为
A.虚短
B.虚断
C.虚联
D.虚地
晶体三极管的工作在放大状态，需要满足的条件是
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
N型半导体中多数载流子是
A.自由电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子
本征半导体硅或锗中掺中微量的三价元素后，其中多数载流子是
A.自由电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子