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国家开放大学汽车电工电子基础
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于
单选题 (2 分) 2分
A.
温度
B.
掺杂工艺
C.
杂质浓度
D.
晶体缺陷
PN结正向偏置是指P型区接电源的负极，N型区接电源的正极。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
本征半导体具有以下哪些特性？
（下面所列的①②③④个选项，至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合）
①．热敏性
②．光敏性
③．掺杂性
④．单向导电性
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②、③
B.
②、③、④
C.
①、②、④
D.
①、②、③、④
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
下列说法正确的是
（下面所列的①②③④个选项，至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合）
①．硅二极管的死区电压是0.5V左右
②．锗二极管的死区电压是0.1V左右
③．硅二极管的死区电压是0.1左右
④．锗二极管的死区电压是0.5V左右
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②
B.
③、④
C.
②、④
D.
①、③
若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为
单选题 (2 分) 2分
A.
正、反向电阻相等
B.
正向电阻大，反向电阻小
C.
反向电阻比正向电阻大很多倍
D.
正、反向电阻都等于无穷大
两只硅稳压管的稳压值分别为6V和5.5V，将它们串联使用时，可获得的四种稳压值是
单选题 (2 分) 2分
A.
5.5V，8.3V，7.8V，1.4V
B.
11.5V，6.7V，6.2V，1.4V
C.
15.5V，7.3V，6.8V，1.4V
D.
15.5V，7.7V，7.2V，0.6V
稳压二极管是利用其工作在反向击穿时电压变化极小的特性，使两端电压得到稳定的。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
有关稳压二极管的叙述，哪些是正确的?
（下面所列的①②③④个选项，至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合）
①．稳定电压是指稳压管反向击穿后的稳定工作电压。
②．在稳压范围内，稳压管两端电压的变化量△UZ与对应的电流变化量△IZ之比称为动态电阻。
③．稳压管的动态电阻越大，其稳压性能越好。
④．电压温度系数越小，稳压管的温度稳定性越好。
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②、③
B.
②、③、④
C.
①、②、④
D.
①、②、③、④
三极管的输入特性包括
（下面所列的①②③④个选项，至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合）
①．发射区
②．死区
③．非线性区
④．线性区
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②、③
B.
②、③、④
C.
①、②、④
D.
①、②、③、④
三极管处于截止区、放大区和饱和区工作的条件是什么？
单选题 (4 分) 4分
A.
发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于放大区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作。
B.
发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作；发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于放大区工作；发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作。
C.
发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于放大区工作；发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作。
D.
发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于截止区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于放大区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于饱和区工作。
根据三极管结构的不同，分为NPN型和PNP型两种。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
复合三极管的导电类型取决于前一个三极管的导电类型。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
构成复合三极管的两个管子的电流放大系数分别为β1和β2，那么复合三极管的电流放大系数近似地等于
单选题 (2 分) 2分
A.
β1+β2
B.
β1-β2
C.
β1β2
D.
β1/β2
共发射极放大电路中电容C1、C2的作用是
单选题 (2 分) 2分
A.
既可传输交流信号，又可传输直流信号。
B.
传输交流信号，隔断直流信号。
C.
传输直流信号，隔断交流信号。
D.
既隔断交流信号，又隔断直流信号。
单选题 (2 分) 2分
A.
温度
B.
掺杂工艺
C.
杂质浓度
D.
晶体缺陷
PN结正向偏置是指P型区接电源的负极，N型区接电源的正极。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
本征半导体具有以下哪些特性？
（下面所列的①②③④个选项，至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合）
①．热敏性
②．光敏性
③．掺杂性
④．单向导电性
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②、③
B.
②、③、④
C.
①、②、④
D.
①、②、③、④
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
下列说法正确的是
（下面所列的①②③④个选项，至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合）
①．硅二极管的死区电压是0.5V左右
②．锗二极管的死区电压是0.1V左右
③．硅二极管的死区电压是0.1左右
④．锗二极管的死区电压是0.5V左右
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②
B.
③、④
C.
②、④
D.
①、③
若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为
单选题 (2 分) 2分
A.
正、反向电阻相等
B.
正向电阻大，反向电阻小
C.
反向电阻比正向电阻大很多倍
D.
正、反向电阻都等于无穷大
两只硅稳压管的稳压值分别为6V和5.5V，将它们串联使用时，可获得的四种稳压值是
单选题 (2 分) 2分
A.
5.5V，8.3V，7.8V，1.4V
B.
11.5V，6.7V，6.2V，1.4V
C.
15.5V，7.3V，6.8V，1.4V
D.
15.5V，7.7V，7.2V，0.6V
稳压二极管是利用其工作在反向击穿时电压变化极小的特性，使两端电压得到稳定的。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
有关稳压二极管的叙述，哪些是正确的?
（下面所列的①②③④个选项，至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合）
①．稳定电压是指稳压管反向击穿后的稳定工作电压。
②．在稳压范围内，稳压管两端电压的变化量△UZ与对应的电流变化量△IZ之比称为动态电阻。
③．稳压管的动态电阻越大，其稳压性能越好。
④．电压温度系数越小，稳压管的温度稳定性越好。
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②、③
B.
②、③、④
C.
①、②、④
D.
①、②、③、④
三极管的输入特性包括
（下面所列的①②③④个选项，至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合）
①．发射区
②．死区
③．非线性区
④．线性区
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②、③
B.
②、③、④
C.
①、②、④
D.
①、②、③、④
三极管处于截止区、放大区和饱和区工作的条件是什么？
单选题 (4 分) 4分
A.
发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于放大区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作。
B.
发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作；发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于放大区工作；发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作。
C.
发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于截止区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于放大区工作；发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于饱和区工作。
D.
发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于截止区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置时，三极管处于放大区工作；发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置时，三极管处于饱和区工作。
根据三极管结构的不同，分为NPN型和PNP型两种。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
复合三极管的导电类型取决于前一个三极管的导电类型。
判断题 (1 分) 1分
A.对
B.错
构成复合三极管的两个管子的电流放大系数分别为β1和β2，那么复合三极管的电流放大系数近似地等于
单选题 (2 分) 2分
A.
β1+β2
B.
β1-β2
C.
β1β2
D.
β1/β2
共发射极放大电路中电容C1、C2的作用是
单选题 (2 分) 2分
A.
既可传输交流信号，又可传输直流信号。
B.
传输交流信号，隔断直流信号。
C.
传输直流信号，隔断交流信号。
D.
既隔断交流信号，又隔断直流信号。