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题目内容
(国家开放大学汽车电工电子基础)
下列说法正确的是
(下面所列的①②③④个选项,至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合)
①.硅二极管的死区电压是0.5V左右
②.锗二极管的死区电压是0.1V左右
③.硅二极管的死区电压是0.1左右
④.锗二极管的死区电压是0.5V左右
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②
B.
③、④
C.
②、④
D.
①、③
(下面所列的①②③④个选项,至少有2项是正确的。点击你认为正确的选项组合)
①.硅二极管的死区电压是0.5V左右
②.锗二极管的死区电压是0.1V左右
③.硅二极管的死区电压是0.1左右
④.锗二极管的死区电压是0.5V左右
单选题 (4 分) 4分
A.
①、②
B.
③、④
C.
②、④
D.
①、③
参考答案