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周口师范学院半导体物理学
[单选题,4分] 硅导带结构为（）。
A.位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面
B.一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面
C.一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面
D.位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
[单选题,4分] 半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。 A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动
[单选题,4分] 一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。 A./1/4 B.1/e C.1/e2 D.1/2
[单选题,4分] 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。 A.杂质电离，本征激发 B.本征激发，杂质电离 C.施主电离，本征激发 D.本征激发，受主电离
5[单选题,4分] 把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。 A.改变禁带宽度 B.产生复合中心 C.产生空穴陷阱 D.产生等电子陷阱
1[单选题,6.2分] 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（） A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
[单选题,6.2分] 半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（） A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.能带结构
[单选题,6.2分] 硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件 A.高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率
4[单选题,6.2分] 欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（） A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV）
[单选题,6.2分] 在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（） A.禁带较窄 B.禁带是间接型跃迁 C.禁带较宽 D.禁带较宽
6[单选题,6.2分] GaAs的导带极值位于布里渊区（） A.中心 B.<111>方向边界处 C.<100>方向边界处 D.<110>方向边界处
[单选题,6.2分] 对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（） A.禁带宽度增大 B.禁带宽度减小 C.最低的导带极小值从布里渊区中心移向边界 D.最低的导带极小值在布里渊区中心不变
8[单选题,6.2分] 根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（） A.等于空穴占据（EF+KT）能级的几率 B.等于空穴占据（EF-KT）能级的几率 C.大于电子占据EF的几率 D.大于空穴占据EF的几率
[单选题,6.2分] 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（） A.单调上升 B.单调下降 C.经过一极小值趋近Ei D.经过一极大值趋近Ei
[单选题,6.2分] 某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（） A.金属 B.本征半导体 C.掺杂半导体 D.高纯化合物半导体
[单选题,4分] 半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。 A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动
[单选题,4分] 一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。 A./1/4 B.1/e C.1/e2 D.1/2
[单选题,4分] 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。 A.杂质电离，本征激发 B.本征激发，杂质电离 C.施主电离，本征激发 D.本征激发，受主电离
5[单选题,4分] 把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。 A.改变禁带宽度 B.产生复合中心 C.产生空穴陷阱 D.产生等电子陷阱
1[单选题,6.2分] 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（） A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
[单选题,6.2分] 半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（） A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.能带结构
[单选题,6.2分] 硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件 A.高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率
4[单选题,6.2分] 欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（） A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV）
[单选题,6.2分] 在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（） A.禁带较窄 B.禁带是间接型跃迁 C.禁带较宽 D.禁带较宽
6[单选题,6.2分] GaAs的导带极值位于布里渊区（） A.中心 B.<111>方向边界处 C.<100>方向边界处 D.<110>方向边界处
[单选题,6.2分] 对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（） A.禁带宽度增大 B.禁带宽度减小 C.最低的导带极小值从布里渊区中心移向边界 D.最低的导带极小值在布里渊区中心不变
8[单选题,6.2分] 根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（） A.等于空穴占据（EF+KT）能级的几率 B.等于空穴占据（EF-KT）能级的几率 C.大于电子占据EF的几率 D.大于空穴占据EF的几率
[单选题,6.2分] 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（） A.单调上升 B.单调下降 C.经过一极小值趋近Ei D.经过一极大值趋近Ei
[单选题,6.2分] 某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（） A.金属 B.本征半导体 C.掺杂半导体 D.高纯化合物半导体