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河南工业大学电力电子技术(专升本)
晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。( )(本题2.5分)
A、 正确
B、 错误
双向晶闸管内部有( )个PN结(本题2.0分) A、 3 B、 4 C、 5 D、 6
三相半波可控整流电路，不需要用大于60o小于120o的宽脉冲触发，也不需要相隔60o的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120o的三组脉冲触发就能正常工作。（ ） (本题2.0分) A、 对 B、 错
在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差 度。( )(本题2.5分) A、 180度 B、 60度; C、 360度; D、 120度
晶闸管稳定导通的条件（ ）(本题2.0分) A、 晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B、 晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C、 晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D、 晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
在有源逆变电路中,逆变角的移相范围应选 ( )为最好。(本题2.5分) A、 =90o∽180o, B、 =35o∽90o, C、 =0o∽90o, D、 =35o∽180o
在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 。(本题2.5分) A、 30o-35o, B、 10o-15o, C、 0o-10o, D、 0o。
在室温下门极断开时,元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为( )(本题2.0分) A、 擎住电流 B、 维持电流 C、 最小电流 D、 最大电流
单选 11、下面哪种功能不属于变流的功能( )(本题2.5分) A、 有源逆变 B、 交流调压 C、 变压器降压 D、 直流斩波
通过变流器把直流电能变成某一频率或可调频率的交流电能直接供给负载,称为( )(本题2.0分) A、 有源逆变 B、 无源逆变 C、 整流 D、 反馈
恒流驱动电路中加速电容C的作用是( )(本题2.0分) A、 加快功率晶体管的开通 B、 延缓功率晶体管的关断 C、 加深功率晶体管的饱和深度 D、 保护器件
IGBT是一个复合型的器件,它是( ) (本题2.0分) A、 GTR驱动MOSFET B、 MOSFET驱动的GTR C、 MOSFET驱动的晶闸管 D、 MOSFET驱动的GTO
关于单相桥式PWM逆变电路,下面说法正确的是( ) (本题2.0分) A、 在一个周期内单极性调制时有一个电平,双极性有两个电平 B、 在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有三个电平 C、 在一个周期内单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平 D、 在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有一个电平
下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO器件电路符号的是( )(本题2.0分) A、 上传图片 B、 上传图片 C、 上传图片 D、 上传图片
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为( )。(本题2.5分) A、 700V B、 750V C、 800V D、 850V
双向晶闸管内部有( )个PN结(本题2.0分) A、 3 B、 4 C、 5 D、 6
三相半波可控整流电路，不需要用大于60o小于120o的宽脉冲触发，也不需要相隔60o的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120o的三组脉冲触发就能正常工作。（ ） (本题2.0分) A、 对 B、 错
在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差 度。( )(本题2.5分) A、 180度 B、 60度; C、 360度; D、 120度
晶闸管稳定导通的条件（ ）(本题2.0分) A、 晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B、 晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C、 晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D、 晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
在有源逆变电路中,逆变角的移相范围应选 ( )为最好。(本题2.5分) A、 =90o∽180o, B、 =35o∽90o, C、 =0o∽90o, D、 =35o∽180o
在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 。(本题2.5分) A、 30o-35o, B、 10o-15o, C、 0o-10o, D、 0o。
在室温下门极断开时,元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为( )(本题2.0分) A、 擎住电流 B、 维持电流 C、 最小电流 D、 最大电流
单选 11、下面哪种功能不属于变流的功能( )(本题2.5分) A、 有源逆变 B、 交流调压 C、 变压器降压 D、 直流斩波
通过变流器把直流电能变成某一频率或可调频率的交流电能直接供给负载,称为( )(本题2.0分) A、 有源逆变 B、 无源逆变 C、 整流 D、 反馈
恒流驱动电路中加速电容C的作用是( )(本题2.0分) A、 加快功率晶体管的开通 B、 延缓功率晶体管的关断 C、 加深功率晶体管的饱和深度 D、 保护器件
IGBT是一个复合型的器件,它是( ) (本题2.0分) A、 GTR驱动MOSFET B、 MOSFET驱动的GTR C、 MOSFET驱动的晶闸管 D、 MOSFET驱动的GTO
关于单相桥式PWM逆变电路,下面说法正确的是( ) (本题2.0分) A、 在一个周期内单极性调制时有一个电平,双极性有两个电平 B、 在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有三个电平 C、 在一个周期内单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平 D、 在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有一个电平
下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO器件电路符号的是( )(本题2.0分) A、 上传图片 B、 上传图片 C、 上传图片 D、 上传图片
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为( )。(本题2.5分) A、 700V B、 750V C、 800V D、 850V