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河南理工大学-模拟电子技术
OCL功放电路中，输出端（即中点）的静态电位为（ ）
A.Vcc
B.2 Vcc
C.Vcc /2
D.0
OCL功率放大器易发生有（ ） 失真。 A.全失真 B.交越失真 C.饱和失真 D.以上都不是
] OTL电路是（ ）电源互补功率放大电路 A.单 B.无电源 C.双电源 D.以上都不是
PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，这种特性称为PN结的 A.单向导电性 B.放大特性 C.饱和特性 D.以上都不是
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。 A.正值 B.负值 C.零 D.以上都不是
P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________ A.正值 B.负值 C.vGS D.零
RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路
差分放大电路产生零点漂移的主要原因是：_________。 A.电压增益太大 B.B. 环境温度变化 C.C. 采用直接耦合方式 D.采用阻容耦合方式
差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益_________。 A.增加一倍 B.为双端输入时的1/22 C.不变 D.不确定
差分放大电路中，当vi1=300mV，vi2=200mV时，分解为共模输入信号为 A. 500mV B.100mV C.250mV D.50mV
差分放大电路中，当vi1=300mV，vi2=280mV，AVD=100，AVC=1时，输出电压为_________。 A. 580mV B. 1.71V C.2V D.2.29V
差分放大器抑制零点漂移的效果取决于（ ） A.两个三极管的静态工作点大小 B.两个三极管的性能对称程度 C.两个三级管的零点漂移程度 D.两个三级管的电流放大倍数
场效应管是_________器件。 A.电压控制电压 B.电流控制电压 C.电压控制电流 D.电流控制电流
场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。 A.电流 B.电场 C.电压 D.电阻
导通后的晶闸管去掉控制极电压后，晶闸管处于（ ）状态 A.导通 B.关断 C.放大 D.饱和
OCL功率放大器易发生有（ ） 失真。 A.全失真 B.交越失真 C.饱和失真 D.以上都不是
] OTL电路是（ ）电源互补功率放大电路 A.单 B.无电源 C.双电源 D.以上都不是
PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，这种特性称为PN结的 A.单向导电性 B.放大特性 C.饱和特性 D.以上都不是
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。 A.正值 B.负值 C.零 D.以上都不是
P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________ A.正值 B.负值 C.vGS D.零
RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路
差分放大电路产生零点漂移的主要原因是：_________。 A.电压增益太大 B.B. 环境温度变化 C.C. 采用直接耦合方式 D.采用阻容耦合方式
差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益_________。 A.增加一倍 B.为双端输入时的1/22 C.不变 D.不确定
差分放大电路中，当vi1=300mV，vi2=200mV时，分解为共模输入信号为 A. 500mV B.100mV C.250mV D.50mV
差分放大电路中，当vi1=300mV，vi2=280mV，AVD=100，AVC=1时，输出电压为_________。 A. 580mV B. 1.71V C.2V D.2.29V
差分放大器抑制零点漂移的效果取决于（ ） A.两个三极管的静态工作点大小 B.两个三极管的性能对称程度 C.两个三级管的零点漂移程度 D.两个三级管的电流放大倍数
场效应管是_________器件。 A.电压控制电压 B.电流控制电压 C.电压控制电流 D.电流控制电流
场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。 A.电流 B.电场 C.电压 D.电阻
导通后的晶闸管去掉控制极电压后，晶闸管处于（ ）状态 A.导通 B.关断 C.放大 D.饱和