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周口师范学院半导体物理学
[单选题,4分] 最有效的复合中心能级位置在（）附近。
A.EA
B.少子
C.多子
D.Ei
[单选题,4分] 半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于() A.复合机构 B.散射机构 C.禁带宽度 D.晶体结构
[单选题,4分] 在n型半导体中（） A.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B.空穴的数量略多于电子 C.电子是多数载流子，空穴是少数载流子 D.没有电子
[单选题,4分] PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（） A.雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿 B.高压击穿、跃迁击穿、热电击穿 C.雪崩击穿、隧道击穿、自发击穿 D.隧道击穿、自发击穿、跃迁击穿
10[单选题,4分] 当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。 A.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
[单选题,4分] 在P型半导体中（） A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子 B.空穴的数量略多于电子 C.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 D.没有电子
[单选题,4分] 一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。 A.没有被电子占据，电子所占据，1/2 B.电子所占据，没有被电子占据，1/2 C.没有被电子占据，电子所占据，1/3 D.电子所占据，没有被电子占据，1/3
[单选题,4分] 下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。 A.含硼1×1015cm-3的硅 B.含磷1×1016cm-3的硅 C.含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅 D.纯净的硅
[单选题,4分] 重空穴是指（） A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D.自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
[单选题,4分] 同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
[单选题,4分] 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。 A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4
[单选题,4分] 杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。 A.硼或铁 B.铁或铜 C.硼或磷 D.金或银
[单选题,4分] 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。 A.施主 B.复合中心 C.陷阱 D.两性杂质
19[单选题,4分] 一般半导体它的价带顶位于()，而导带底位于()。 A.波矢k=0或附近，波矢k≠0 B.波矢k≠0，波矢k=0或附近 C.波矢k=0，波矢k≠0 D.波矢k=0或附近，波矢k≠0或k=0
[单选题,4分] 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。 A.比半导体的大 B.比半导体的小 C.与半导体的相等 D.不确定
[单选题,4分] 半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于() A.复合机构 B.散射机构 C.禁带宽度 D.晶体结构
[单选题,4分] 在n型半导体中（） A.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B.空穴的数量略多于电子 C.电子是多数载流子，空穴是少数载流子 D.没有电子
[单选题,4分] PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（） A.雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿 B.高压击穿、跃迁击穿、热电击穿 C.雪崩击穿、隧道击穿、自发击穿 D.隧道击穿、自发击穿、跃迁击穿
10[单选题,4分] 当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。 A.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
[单选题,4分] 在P型半导体中（） A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子 B.空穴的数量略多于电子 C.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 D.没有电子
[单选题,4分] 一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。 A.没有被电子占据，电子所占据，1/2 B.电子所占据，没有被电子占据，1/2 C.没有被电子占据，电子所占据，1/3 D.电子所占据，没有被电子占据，1/3
[单选题,4分] 下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。 A.含硼1×1015cm-3的硅 B.含磷1×1016cm-3的硅 C.含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅 D.纯净的硅
[单选题,4分] 重空穴是指（） A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D.自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
[单选题,4分] 同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
[单选题,4分] 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。 A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4
[单选题,4分] 杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。 A.硼或铁 B.铁或铜 C.硼或磷 D.金或银
[单选题,4分] 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。 A.施主 B.复合中心 C.陷阱 D.两性杂质
19[单选题,4分] 一般半导体它的价带顶位于()，而导带底位于()。 A.波矢k=0或附近，波矢k≠0 B.波矢k≠0，波矢k=0或附近 C.波矢k=0，波矢k≠0 D.波矢k=0或附近，波矢k≠0或k=0
[单选题,4分] 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。 A.比半导体的大 B.比半导体的小 C.与半导体的相等 D.不确定