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河南城建学院电力电子技术
单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）
A.V1与V4相通，V2与V3关断
B.V1常通，V2常断，V3与V4交替通断
C.V1与V4关断，V2与V3导通
D.V1常断，V2常通，V3与V4交替通断
对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ） A. 晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180度 B. 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路 才能正常工作 C. 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通 角为 180 度 D. 晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为 180度
在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在 t1~t2时间段内，有（ ）晶闸管导通。 A. 1 个 B. 2 个 C. 3 个 D. 4 个
4. 对于单相交交变频电路如下图，在 t1~t2 时间段内，P 组晶闸管变流装置与 N组晶闸管变流装置的工作状态是（ ） A. P 组阻断，N 组整流 B. P组阻断，N 组逆变 C. N 组阻断，P 组整流 D. N组阻断，P 组逆变
5. 电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ） A. 30°～150° B. 0°～120° C. 15°～125° D. 0°～150°
恒流驱动电路中加速电容 C的作用是（ ） A. 加快功率晶体管的开通 B. 延缓功率晶体管的关断 C. 加深功率晶体管的饱和深度 D. 保护器件
直流斩波电路是一种（ ）变换电路。 A. AC/AC B. DC/AC C. DC/DC D. AC/DC
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ） A. du/dt 抑制电路 B. 抗饱和电路 C. di/dt 抑制电路 D. 吸收电路
已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） A. 减小至维持电流以下 B. 减小至擎住电流以下 C. 减小至门极触发电流以下 D. 减小至 5A 以下
IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ） A. GTR 驱动的 MOSFET B. MOSFET 驱动的GTR C. MOSFET 驱动的晶闸管 D. MOSFET 驱动的GTO
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为 745V，反向重复峰值电压为 825V，则该晶闸管的额定电压应为（ ） A. 700V B. 750V C. 800V D. 850V
三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范围 A. 0度--60度 B. 0度--90度 C. 0度--120度 D. 0度--150度
三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关 A. α、Id、 XL、U2φ B. α、Id C. α、U2 D. α、U2、 XL
在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是 A. 0°～90° B. 0°～180° C. 90°～180°
在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是 A. 0°～90° B. 0°～180° C. 90°～180°
对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ） A. 晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180度 B. 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路 才能正常工作 C. 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通 角为 180 度 D. 晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为 180度
在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在 t1~t2时间段内，有（ ）晶闸管导通。 A. 1 个 B. 2 个 C. 3 个 D. 4 个
4. 对于单相交交变频电路如下图，在 t1~t2 时间段内，P 组晶闸管变流装置与 N组晶闸管变流装置的工作状态是（ ） A. P 组阻断，N 组整流 B. P组阻断，N 组逆变 C. N 组阻断，P 组整流 D. N组阻断，P 组逆变
5. 电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ） A. 30°～150° B. 0°～120° C. 15°～125° D. 0°～150°
恒流驱动电路中加速电容 C的作用是（ ） A. 加快功率晶体管的开通 B. 延缓功率晶体管的关断 C. 加深功率晶体管的饱和深度 D. 保护器件
直流斩波电路是一种（ ）变换电路。 A. AC/AC B. DC/AC C. DC/DC D. AC/DC
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ） A. du/dt 抑制电路 B. 抗饱和电路 C. di/dt 抑制电路 D. 吸收电路
已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） A. 减小至维持电流以下 B. 减小至擎住电流以下 C. 减小至门极触发电流以下 D. 减小至 5A 以下
IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ） A. GTR 驱动的 MOSFET B. MOSFET 驱动的GTR C. MOSFET 驱动的晶闸管 D. MOSFET 驱动的GTO
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为 745V，反向重复峰值电压为 825V，则该晶闸管的额定电压应为（ ） A. 700V B. 750V C. 800V D. 850V
三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范围 A. 0度--60度 B. 0度--90度 C. 0度--120度 D. 0度--150度
三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关 A. α、Id、 XL、U2φ B. α、Id C. α、U2 D. α、U2、 XL
在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是 A. 0°～90° B. 0°～180° C. 90°～180°
在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是 A. 0°～90° B. 0°～180° C. 90°～180°