注意：此页面搜索的是所有试题
西安交通大学--电子技术基础学习指南
单极型半导体器件是（ ）。
A 二极管 B 双极型三极管 C 场效应管 D 稳压管
P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A 三价 B 四价 C 五价 D 六价
由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（ ）。 A 反相放大器 B 差分放大器 C 电压比较器
理想运放的两个重要结论是（ ）。 A 虚短与虚地 B 虚断与虚短 C 断路与短路
十进制数100对应的二进制数为（ ）。 A 1011110 B 1100010 C 1100100 D 11000100
稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A 导通状态 B 截止状态 C 反向击穿状态 D 任意状态
PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。 A 多子扩散 B 少子扩散 C 少子漂移 D 多子漂移
电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（ ）。 A 放大电路的电压增益 B 不失真问题 C 管子的工作效率
射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（ ）。 A 带负载能力强 B 带负载能力差 C 减轻前级或信号源负荷
集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（ ）。 A 正反馈与负反馈 B 线性与非线性 C 虚断和虚短
三极管超过（ ）所示极限参数时，必定被损坏。 A 集电极最大允许电流ICM B 集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C 集电极最大允许耗散功率PCM D 管子的电流放大倍数
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ ）。 A 发射结正偏、集电结正偏 B 发射结反偏、集电结反偏； C 发射结正偏、集电结反偏 D 发射结反偏、集电结正偏
基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（ ）。 A 截止区 B 饱和区 C 死区。
射极输出器是典型的（ ）。 A 电流串联负反馈 B 电压并联负反馈 C 电压串联负反馈。
基本积分电路中的电容器接在电路的（ ）。 A 反相输入端 B 同相输入端 C 反相端与输出端之间
P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A 三价 B 四价 C 五价 D 六价
由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（ ）。 A 反相放大器 B 差分放大器 C 电压比较器
理想运放的两个重要结论是（ ）。 A 虚短与虚地 B 虚断与虚短 C 断路与短路
十进制数100对应的二进制数为（ ）。 A 1011110 B 1100010 C 1100100 D 11000100
稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A 导通状态 B 截止状态 C 反向击穿状态 D 任意状态
PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。 A 多子扩散 B 少子扩散 C 少子漂移 D 多子漂移
电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（ ）。 A 放大电路的电压增益 B 不失真问题 C 管子的工作效率
射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（ ）。 A 带负载能力强 B 带负载能力差 C 减轻前级或信号源负荷
集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（ ）。 A 正反馈与负反馈 B 线性与非线性 C 虚断和虚短
三极管超过（ ）所示极限参数时，必定被损坏。 A 集电极最大允许电流ICM B 集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C 集电极最大允许耗散功率PCM D 管子的电流放大倍数
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ ）。 A 发射结正偏、集电结正偏 B 发射结反偏、集电结反偏； C 发射结正偏、集电结反偏 D 发射结反偏、集电结正偏
基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（ ）。 A 截止区 B 饱和区 C 死区。
射极输出器是典型的（ ）。 A 电流串联负反馈 B 电压并联负反馈 C 电压串联负反馈。
基本积分电路中的电容器接在电路的（ ）。 A 反相输入端 B 同相输入端 C 反相端与输出端之间