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乐山师范学院半导体物理学及实验
1、 室温下一硫化镉样品的可动载流子密度为 ,迁移率为 ,则此样品的电导率是 。 A. 16 B. 17 C. 18 D. 19
2、 室温下,费米分布函数在 处的值为 A. 0 B. 0.5 C. 0.56 D. 1
3、 一个零偏压下的PN结电容,每单位面积的耗尽层电容 ,硅的介电常数 为 ,则耗尽层 宽度是A135um. B.125um C.135um D125um
4、 一块2cm 长的硅片,横截面是 0.1cm2,用于测量电子迁移率。已知掺杂浓度为ND=10cm ,测得电阻值为90Ω ,则其电子迁 移率为 。 A. 1450 B. 550 C. 780 D. 1390
5、 对某块掺杂硅材料在整个温度范围内测量霍尔系数,结果均为RH＜0 ,则该材料的导电类型为 A. N型 B. P型 C. 本征 D. 不确定
1、 SiC是宽带隙的半导体材料
2、 简并化半导体的主要特点是掺杂浓度很低。
3、 对于窄禁带半导体材料,热电击穿是重要的击穿机制。
4、 载流子的扩散运动产生漂移电流
5、 弗仑克尔缺陷是指空位和间隙原子成对出现的缺陷。
1、 一定温度下,非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积nopo = (____)
2、 最初测出载流子有效质量的实验名称是 (____) 。
3、 不含任何杂质和缺陷的理想半导体称为 (____) 半导体。
2、 室温下,费米分布函数在 处的值为 A. 0 B. 0.5 C. 0.56 D. 1
3、 一个零偏压下的PN结电容,每单位面积的耗尽层电容 ,硅的介电常数 为 ,则耗尽层 宽度是A135um. B.125um C.135um D125um
4、 一块2cm 长的硅片,横截面是 0.1cm2,用于测量电子迁移率。已知掺杂浓度为ND=10cm ,测得电阻值为90Ω ,则其电子迁 移率为 。 A. 1450 B. 550 C. 780 D. 1390
5、 对某块掺杂硅材料在整个温度范围内测量霍尔系数,结果均为RH＜0 ,则该材料的导电类型为 A. N型 B. P型 C. 本征 D. 不确定
1、 SiC是宽带隙的半导体材料
2、 简并化半导体的主要特点是掺杂浓度很低。
3、 对于窄禁带半导体材料,热电击穿是重要的击穿机制。
4、 载流子的扩散运动产生漂移电流
5、 弗仑克尔缺陷是指空位和间隙原子成对出现的缺陷。
1、 一定温度下,非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积nopo = (____)
2、 最初测出载流子有效质量的实验名称是 (____) 。
3、 不含任何杂质和缺陷的理想半导体称为 (____) 半导体。