注意：此页面搜索的是所有试题
河南城建学院模拟电子技术
对 PN 结二极管，当 P 区外接高电位，而 N 区外接低电位，则 PN结为（ ）偏。
A.
反
B.
正
C.
低
D.
高
二极管的正向电流是由多数载流子的（ ）运动形成的 A. 正向 B. 反向 C. 漂移 D. 扩散
稳压管是利用二极管（ ）特性工作的 。 A. 正向 B. 反向击穿 C. 放大 D. 饱和
晶体管工作受温度影响是由于温度升高（ ）增加所致 。 A. β B. α C. 电 流 D. 电压
双极型晶体管(BJT)放大偏置时，应在其发射结加_____电压，在集电结加______电压 。 A. 反 , 正 B. 正 ,正 C. 正, 反
如果放大器出现非线性失真，则输出频率分量一定比输入频率分量（ ） 。 A. 不变 B. 增加 C. 减小 D. 无
FET 依靠（ ）控制漏极电流íＤ的器件。 A. 电 场 B. 电 流 C. 电 阻 D. 功率
集成运放采用有源负载的目的是（ ）。 A. 稳定工作点 B. 提高电压增益 C. 减少温度漂移 D. 增加输人电阻
差动放大器两个输入端的增益电压分别是 2mV 和-2mV，则输入的共模电压是（ ）mV 。 A. 3 B. 0 C. 1 D. -1
差动放大电路的主要特点是 ( )。 A. 有效放大差模信号，有力抑制共模信号 B. 既放大差模信号，又放大共模信号 C. 有效放大共模信号，有力抑制差模信号 D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号
NPN管放大偏值电路中，若VC 增加，则 IC（ ）。 A. 几乎不变 B. 略有增加 C. 略有减小 D. 稳定
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，自由电子浓度将大大增加，这种半导体称为N型半导体 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，自由电子浓度将大大增加，这种半导体称为N型半导体 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
杂质半导体分为 N 型和 P 型, 空穴是（ ） 型半导体的少子, 自由电子是（ ）型半导体的多子。 A. N,P C C. P,P D. P,N,
普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为（ ）伏，而Ge 二极管的导通电压典型值 为 （ ）伏 。 A. 0．7、 1 B. 1 、 1 C. 0．7 V、 0．3 V D. 0．3、 0．7
二极管的正向电流是由多数载流子的（ ）运动形成的 A. 正向 B. 反向 C. 漂移 D. 扩散
稳压管是利用二极管（ ）特性工作的 。 A. 正向 B. 反向击穿 C. 放大 D. 饱和
晶体管工作受温度影响是由于温度升高（ ）增加所致 。 A. β B. α C. 电 流 D. 电压
双极型晶体管(BJT)放大偏置时，应在其发射结加_____电压，在集电结加______电压 。 A. 反 , 正 B. 正 ,正 C. 正, 反
如果放大器出现非线性失真，则输出频率分量一定比输入频率分量（ ） 。 A. 不变 B. 增加 C. 减小 D. 无
FET 依靠（ ）控制漏极电流íＤ的器件。 A. 电 场 B. 电 流 C. 电 阻 D. 功率
集成运放采用有源负载的目的是（ ）。 A. 稳定工作点 B. 提高电压增益 C. 减少温度漂移 D. 增加输人电阻
差动放大器两个输入端的增益电压分别是 2mV 和-2mV，则输入的共模电压是（ ）mV 。 A. 3 B. 0 C. 1 D. -1
差动放大电路的主要特点是 ( )。 A. 有效放大差模信号，有力抑制共模信号 B. 既放大差模信号，又放大共模信号 C. 有效放大共模信号，有力抑制差模信号 D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号
NPN管放大偏值电路中，若VC 增加，则 IC（ ）。 A. 几乎不变 B. 略有增加 C. 略有减小 D. 稳定
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，自由电子浓度将大大增加，这种半导体称为N型半导体 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，自由电子浓度将大大增加，这种半导体称为N型半导体 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
杂质半导体分为 N 型和 P 型, 空穴是（ ） 型半导体的少子, 自由电子是（ ）型半导体的多子。 A. N,P C C. P,P D. P,N,
普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为（ ）伏，而Ge 二极管的导通电压典型值 为 （ ）伏 。 A. 0．7、 1 B. 1 、 1 C. 0．7 V、 0．3 V D. 0．3、 0．7