注意：此页面搜索的是所有试题
周口师范学院半导体物理学
5[判断题,4分] 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（）
A.正确
B.错误
[判断题,4分] 在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（） A.正确 B.错误
[填空题,4分] 从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。
[填空题,4分] 通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。
[填空题,4分] 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
[填空题,4分] 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。
[填空题,4分] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。
[填空题,4分] 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
[填空题,4分] 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。
[填空题,4分] 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
[填空题,4分] （）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
[简答题,4分] 半导体产生光吸收的方式？
[简答题,4分] 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？
[简答题,4分] 半导体导带中的电子浓度取决于什么？
[简答题,4分] 为什么内壳层电子能带窄，外层电子能带宽？
[判断题,4分] 在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（） A.正确 B.错误
[填空题,4分] 从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。
[填空题,4分] 通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。
[填空题,4分] 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
[填空题,4分] 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。
[填空题,4分] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。
[填空题,4分] 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
[填空题,4分] 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。
[填空题,4分] 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
[填空题,4分] （）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
[简答题,4分] 半导体产生光吸收的方式？
[简答题,4分] 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？
[简答题,4分] 半导体导带中的电子浓度取决于什么？
[简答题,4分] 为什么内壳层电子能带窄，外层电子能带宽？