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河南科技大学计算机接口技术
[单选题,1分] 某段数据的起始地址为20000H，末地址为2FFFFH，则段寄存器DS内容为 。
A.0000H
B.1000H
C.2000H
D.20000H
[单选题,1分] 某存储器芯片有地址线13根、数据线8根，该存储器芯片的存储容量为 。 A.15K×8 B.32K×256 C.8K×8 D.32K×8
[单选题,1分] 某存储单元的段基址为3806H，段内偏移地址为2A48H，该存储单元的物理地址为 。 A.4100H B.3AA08H C.3B008H D.3AAA8H
[单选题,1分] 8086在响应外部HOLD请求后， 。 A.转入特殊中断服务程序 B.进入等待周期 C.只接收外部数据 D.所有三态引脚处于高阻，CPU放弃对总线控制权
[单选题,1分] 定义4个字节的伪指令是 。 A.DB B.DW C.DD D.DQ
[单选题,1分] 乘法指令中的两个操作数，其中有一个是隐含固定在 。 A.AL或AX B.BL或BX C.CL或CX D.DL或DX
[单选题,1分] CPU在执行指令过程中，BIU每完成一次对存储器或I/O端口的访问过程，称为一个 。 A.时钟周期 B.总线周期 C.总线读周期 D.总线写周期
[单选题,1分] I/O端口间接寻址方式是将被寻址端口地址存放在 寄存器中。 A.AX B.BX C.CX D.DX
[单选题,1分] 一ROM芯片地址范围为0000H~03FFH，该ROM芯片可寻址单元有 。 A.1K B.2K C.4k D.8k
[单选题,1分] 变量定义后具有类型属性，非法的类型属性是 。 A.字节性 B.字型 C.字符型 D.双字型
[单选题,1分] 8086CPU一次可以并行传送 位数据信息。 A.8 B.16 C.8/16 D.32
[单选题,1分] 下面的数据交换指令中，错误的操作是 。 A.XCHG AX，DI B.XCHG BX，[SI+DAT] C.XCHG CX，DS D.XCHG BUF，DX
[单选题,1分] CPU与接口之间传送信息的方式一般有 。 A.无条件 B.查询方式 C.中断方式和DMA方式 D.以上都有
[单选题,1分] 二进制数011001011110的十六进制和八进制分别为 。 A.54EH和3156Q B.65H和3276Q C.54H和3176Q D.65EH和3136Q
[单选题,1分] 8086有两种工作方式，当8086处于最小方式时，MN/接 。 A.+12V B.-12V C.+5V D.地
[单选题,1分] 某存储器芯片有地址线13根、数据线8根，该存储器芯片的存储容量为 。 A.15K×8 B.32K×256 C.8K×8 D.32K×8
[单选题,1分] 某存储单元的段基址为3806H，段内偏移地址为2A48H，该存储单元的物理地址为 。 A.4100H B.3AA08H C.3B008H D.3AAA8H
[单选题,1分] 8086在响应外部HOLD请求后， 。 A.转入特殊中断服务程序 B.进入等待周期 C.只接收外部数据 D.所有三态引脚处于高阻，CPU放弃对总线控制权
[单选题,1分] 定义4个字节的伪指令是 。 A.DB B.DW C.DD D.DQ
[单选题,1分] 乘法指令中的两个操作数，其中有一个是隐含固定在 。 A.AL或AX B.BL或BX C.CL或CX D.DL或DX
[单选题,1分] CPU在执行指令过程中，BIU每完成一次对存储器或I/O端口的访问过程，称为一个 。 A.时钟周期 B.总线周期 C.总线读周期 D.总线写周期
[单选题,1分] I/O端口间接寻址方式是将被寻址端口地址存放在 寄存器中。 A.AX B.BX C.CX D.DX
[单选题,1分] 一ROM芯片地址范围为0000H~03FFH，该ROM芯片可寻址单元有 。 A.1K B.2K C.4k D.8k
[单选题,1分] 变量定义后具有类型属性，非法的类型属性是 。 A.字节性 B.字型 C.字符型 D.双字型
[单选题,1分] 8086CPU一次可以并行传送 位数据信息。 A.8 B.16 C.8/16 D.32
[单选题,1分] 下面的数据交换指令中，错误的操作是 。 A.XCHG AX，DI B.XCHG BX，[SI+DAT] C.XCHG CX，DS D.XCHG BUF，DX
[单选题,1分] CPU与接口之间传送信息的方式一般有 。 A.无条件 B.查询方式 C.中断方式和DMA方式 D.以上都有
[单选题,1分] 二进制数011001011110的十六进制和八进制分别为 。 A.54EH和3156Q B.65H和3276Q C.54H和3176Q D.65EH和3136Q
[单选题,1分] 8086有两种工作方式，当8086处于最小方式时，MN/接 。 A.+12V B.-12V C.+5V D.地