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河南工程学院电力电子技术
在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差 度。
(A) 180 度
(B) 60 度
(C) 360度
(D) 120度
单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) (A) 0o-90° (B) 0o-120° (C) 0o-150° (D) 0o-180°
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为 745V，反向重复峰值电压为 825V，则该晶闸管 的额定电压应为（ ） (A) 700V (B) 750V (C) 800V (D) 850V
下面哪种功能不属于变流的功能（ ） (A) 有源逆变 (B) 交流调压 (C) 变压器降压 (D) 直流斩波
晶闸管触发电路中，若使控制电压 UC=0，改变 的大小，可使直流电动机负载电 压 Ud=0，使触发角α=90o。达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。 (A) 同步电压 (B) 控制电压 (C) 偏移调正电压
三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值 为 (A) (B) (C) (D)2.34U2
在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是 (A) 0°～90° (B) 0°～180° (C) 90°～180°
三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关 (A) α、Id、 XL、U2φ (B) α、Id (C) α、U2 (D) α、U2、 XL
三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范 围 (A) 0度--60度 (B) 0度--90度 (C) 0度--120度 (D) 0度--150度
IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ） (A) GTR 驱动的 MOSFET (B) MOSFET 驱动的GTR (C) MOSFET 驱动的晶闸管 (D) MOSFET 驱动的GTO
已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） (A) 减小至维持电流以下 (B) 减小至擎住电流以下 (C) 减小至门极触发电流以下 (D) 减小至 5A 以下
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ） (A) du/dt 抑制电路 (B) 抗饱和电路 (C) di/dt 抑制电路 (D) 吸收电路
单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) (A) 0o-90° (B) 0o-120° (C) 0o-150° (D) 0o-180°
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为 745V，反向重复峰值电压为 825V，则该晶闸管 的额定电压应为（ ） (A) 700V (B) 750V (C) 800V (D) 850V
下面哪种功能不属于变流的功能（ ） (A) 有源逆变 (B) 交流调压 (C) 变压器降压 (D) 直流斩波
晶闸管触发电路中，若使控制电压 UC=0，改变 的大小，可使直流电动机负载电 压 Ud=0，使触发角α=90o。达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。 (A) 同步电压 (B) 控制电压 (C) 偏移调正电压
三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值 为 (A) (B) (C) (D)2.34U2
在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是 (A) 0°～90° (B) 0°～180° (C) 90°～180°
三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关 (A) α、Id、 XL、U2φ (B) α、Id (C) α、U2 (D) α、U2、 XL
三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范 围 (A) 0度--60度 (B) 0度--90度 (C) 0度--120度 (D) 0度--150度
IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ） (A) GTR 驱动的 MOSFET (B) MOSFET 驱动的GTR (C) MOSFET 驱动的晶闸管 (D) MOSFET 驱动的GTO
已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） (A) 减小至维持电流以下 (B) 减小至擎住电流以下 (C) 减小至门极触发电流以下 (D) 减小至 5A 以下
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ） (A) du/dt 抑制电路 (B) 抗饱和电路 (C) di/dt 抑制电路 (D) 吸收电路