注意：此页面搜索的是所有试题
河南理工大学-电气工程及其自动化-检测技术及应用
[单选题,10分] 不能直接用于直线位移测量的传感器是( )
A.长光栅
B.长磁栅
C.标准型同步感应器
D.角编码器
[多选题,10分] 压电式传感器目前多用于测量( ) A.静态的力或压力 B.动态的力或压力 C.速度 D.加速度
[多选题,10分] 霍尔效应中，霍尔电动势与( ) A.乘积灵敏度成反比 B.乘积灵敏度成正比 C.霍尔元件的厚度成反 D.霍尔元件的厚度成正比
[多选题,10分] 工程（工业）中，热电偶冷端处理方法有（） A.热电动势修正法 B.温度修正法 C.0℃恒温法 D.冷端延长法
[多选题,10分] 通常用应变式传感器测量（） A.温度 B.速度 C.加速度 D.压力
[单选题,10分] 从气敏元件与被测气体接触到气敏元件参数达到新的稳定状态所需要时间称为( ) A.灵敏度 B.稳定性 C.响应时间 D.选择性
[单选题,10分] 具有压磁效应的磁弹性体叫做（） A.压电元件 B.压磁元件 C.压阻元件 D.霍尔元件
[单选题,10分] 光电传感器的基本原理是基于物质的（） A.压电效应 B.光电效应 C.磁电效应 D.热电效应
[单选题,10分] 金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（）来决定的。 A.贴片位置的温度变化 B.电阻丝几何尺寸的变化 C.电阻丝材料的电阻率变化 D.外接导线的变化
[单选题,10分] 不能用涡流式传感器进行测量的是（） A.位移 B.材质鉴别 C.探伤伤 D.非金属材料
[单选题,10分] 不能采用非接触方式测量的传感器是：（） A.霍尔传感器 B.光电电电传感器 C.热电偶 D.涡流传感器
[多选题,10分] 当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离离dd增加时，将引起传感器的（） A.灵敏度增加 B.灵敏度减小 C.非线性误差增加 D.非线性误差减小
[多选题,10分] 当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的（） A.灵敏度增加 B.灵敏度减小 C.非统性误差增加 D.非线性误差减小
[多选题,10分] 在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（） A.外光电效应 B.内光电效应 C.光电发射 D.光导效应
[单选题,10分] 通常所说的传感器核心组成部分是指：（） A.敏感元件和传感元件 B.敏感元件和转换元件 C.转换元件和调理电路 D.敏感元件、调理电路和电源
[多选题,10分] 压电式传感器目前多用于测量( ) A.静态的力或压力 B.动态的力或压力 C.速度 D.加速度
[多选题,10分] 霍尔效应中，霍尔电动势与( ) A.乘积灵敏度成反比 B.乘积灵敏度成正比 C.霍尔元件的厚度成反 D.霍尔元件的厚度成正比
[多选题,10分] 工程（工业）中，热电偶冷端处理方法有（） A.热电动势修正法 B.温度修正法 C.0℃恒温法 D.冷端延长法
[多选题,10分] 通常用应变式传感器测量（） A.温度 B.速度 C.加速度 D.压力
[单选题,10分] 从气敏元件与被测气体接触到气敏元件参数达到新的稳定状态所需要时间称为( ) A.灵敏度 B.稳定性 C.响应时间 D.选择性
[单选题,10分] 具有压磁效应的磁弹性体叫做（） A.压电元件 B.压磁元件 C.压阻元件 D.霍尔元件
[单选题,10分] 光电传感器的基本原理是基于物质的（） A.压电效应 B.光电效应 C.磁电效应 D.热电效应
[单选题,10分] 金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（）来决定的。 A.贴片位置的温度变化 B.电阻丝几何尺寸的变化 C.电阻丝材料的电阻率变化 D.外接导线的变化
[单选题,10分] 不能用涡流式传感器进行测量的是（） A.位移 B.材质鉴别 C.探伤伤 D.非金属材料
[单选题,10分] 不能采用非接触方式测量的传感器是：（） A.霍尔传感器 B.光电电电传感器 C.热电偶 D.涡流传感器
[多选题,10分] 当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离离dd增加时，将引起传感器的（） A.灵敏度增加 B.灵敏度减小 C.非线性误差增加 D.非线性误差减小
[多选题,10分] 当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的（） A.灵敏度增加 B.灵敏度减小 C.非统性误差增加 D.非线性误差减小
[多选题,10分] 在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（） A.外光电效应 B.内光电效应 C.光电发射 D.光导效应
[单选题,10分] 通常所说的传感器核心组成部分是指：（） A.敏感元件和传感元件 B.敏感元件和转换元件 C.转换元件和调理电路 D.敏感元件、调理电路和电源