注意：此页面搜索的是所有试题
乐山师范学院-大学物理
一质点作简谐振动,当其偏离平衡位置的位移为振幅的八分之一时,其振动动能为振动总能量的 ( ) [ 5 分 ] A. 1/8
B. 1/64
C. 49/64
D. 63/64
关于高斯定理的理解有下面几种说法,其中正确的是 ( ) [ 5 分 ] A.如果高斯面上 处处为零,则该面内必无电荷； B.如果高斯面内无电荷,则高斯面上 处处为零； C.如果高斯面内有净电荷,则通过高斯面的电通量必不为零； D.如果高斯面上 处处不为零,则高斯面内必有电荷.
在单缝夫琅禾费衍射实验中,若增大缝宽,其他条件不变,则中央明条纹 ( ) [ 5 分 ] A.宽度变小. B.宽度变大. C.宽度不变,且中心强度也不变. D.宽度不变,但中心强度增大.
若用衍射光栅准确测定一单色可见光的波长,在下列各种光栅常数的光栅中选用哪一种最好? [ 5 分 ] A. 5.0×10-1 mm. B. 1.0×10-1 mm. C. 1.0×10-2 mm. D. 1.0×10-3 mm.
下述说法中,正确的是 ( ) [ 5 分 ] A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电, 所以本征半导体导电性能比杂质半导体好. B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电. C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能. D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
边长为L的一个导体方框上通有电流I,则此框中心的磁感应强度( ) [ 5 分 ] A.与L无关； B.正比于 ； C.与L成反比； D.与L成正比； E.与 有关.
图示 为一平面简谐波在t时刻的波形曲线,若此时A点处媒质质元 的振动动能在增大,则:( ) [ 5 分 ] A.在A点处质元的弹性势能减小； B.波沿x轴负方向传播； C.在B点处质元的振动动能减小； D.各点的波的能量都不随时间变化.
力F=12ti (N)作用在质量m=2kg的物体上,使物体由原点从静止开始运动,则它在3s末的速度为( ) [ 5 分 ] A. ； B. ； C. ； D. .
已知一螺绕环的自感系数为L.若将该螺绕环锯成两个半环式的螺线管,则两个半环螺线管的自感系数() [ 5 分 ] A.都等于 . B.有一个大于 ,另一个小于 . C.都大于 . D.都小于 .
如图所示 ,M、N为水平面内两根平行金属导轨,ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直裸导线.外磁场垂直水平面向上.当外力使ab向右平移时,cd [ 5 分 ] A.不动. B.转动. C.向左移动. D.向右移动.
1、 质量为0.5kg的质点,在X-Y平面内运动,其运动学方程为(m),在t=2s到t=4s这段时间内,外力对质点作的功为 ( ) . [ 5 分 ]
2、 质量为 的小球与轻弹簧组成系统,按 规律振动,式中t以秒计,x以米计,则小球的振动频率为
两相干波源 和 相距 /4( 为波长), 的位相 比 的位相落后 /2,则在 和 的连线上, 外侧各点(例如P点)两波引起的简谐振动的位相差是( ). [ 5 分 ]
4、 图示 为三种不同的磁介质的B~H关系曲线,其中虚线表示的是B = m0H的关系.说明a、b、c各代表哪一类磁介质的B~H关系曲线:a代表( )的B~H关系曲线.b代表( )的B~H关系曲线.c代表( )的B~H关系曲线. [ 5 分 ]
如图 ,在双缝干涉实验中,若把一厚度为e、折射率为n的薄云母片覆盖在S1缝上,中央明条纹将向( )移动；覆盖云母片后,两束相干光至原中央明纹O处的光程差为( ). [ 5 分 ]
关于高斯定理的理解有下面几种说法,其中正确的是 ( ) [ 5 分 ] A.如果高斯面上 处处为零,则该面内必无电荷； B.如果高斯面内无电荷,则高斯面上 处处为零； C.如果高斯面内有净电荷,则通过高斯面的电通量必不为零； D.如果高斯面上 处处不为零,则高斯面内必有电荷.
在单缝夫琅禾费衍射实验中,若增大缝宽,其他条件不变,则中央明条纹 ( ) [ 5 分 ] A.宽度变小. B.宽度变大. C.宽度不变,且中心强度也不变. D.宽度不变,但中心强度增大.
若用衍射光栅准确测定一单色可见光的波长,在下列各种光栅常数的光栅中选用哪一种最好? [ 5 分 ] A. 5.0×10-1 mm. B. 1.0×10-1 mm. C. 1.0×10-2 mm. D. 1.0×10-3 mm.
下述说法中,正确的是 ( ) [ 5 分 ] A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电, 所以本征半导体导电性能比杂质半导体好. B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电. C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能. D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
边长为L的一个导体方框上通有电流I,则此框中心的磁感应强度( ) [ 5 分 ] A.与L无关； B.正比于 ； C.与L成反比； D.与L成正比； E.与 有关.
图示 为一平面简谐波在t时刻的波形曲线,若此时A点处媒质质元 的振动动能在增大,则:( ) [ 5 分 ] A.在A点处质元的弹性势能减小； B.波沿x轴负方向传播； C.在B点处质元的振动动能减小； D.各点的波的能量都不随时间变化.
力F=12ti (N)作用在质量m=2kg的物体上,使物体由原点从静止开始运动,则它在3s末的速度为( ) [ 5 分 ] A. ； B. ； C. ； D. .
已知一螺绕环的自感系数为L.若将该螺绕环锯成两个半环式的螺线管,则两个半环螺线管的自感系数() [ 5 分 ] A.都等于 . B.有一个大于 ,另一个小于 . C.都大于 . D.都小于 .
如图所示 ,M、N为水平面内两根平行金属导轨,ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直裸导线.外磁场垂直水平面向上.当外力使ab向右平移时,cd [ 5 分 ] A.不动. B.转动. C.向左移动. D.向右移动.
1、 质量为0.5kg的质点,在X-Y平面内运动,其运动学方程为(m),在t=2s到t=4s这段时间内,外力对质点作的功为 ( ) . [ 5 分 ]
2、 质量为 的小球与轻弹簧组成系统,按 规律振动,式中t以秒计,x以米计,则小球的振动频率为
两相干波源 和 相距 /4( 为波长), 的位相 比 的位相落后 /2,则在 和 的连线上, 外侧各点(例如P点)两波引起的简谐振动的位相差是( ). [ 5 分 ]
4、 图示 为三种不同的磁介质的B~H关系曲线,其中虚线表示的是B = m0H的关系.说明a、b、c各代表哪一类磁介质的B~H关系曲线:a代表( )的B~H关系曲线.b代表( )的B~H关系曲线.c代表( )的B~H关系曲线. [ 5 分 ]
如图 ,在双缝干涉实验中,若把一厚度为e、折射率为n的薄云母片覆盖在S1缝上,中央明条纹将向( )移动；覆盖云母片后,两束相干光至原中央明纹O处的光程差为( ). [ 5 分 ]