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题目内容
(西安建筑科技大学模拟电子技术)
绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()
A、
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
C、
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
A、
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
C、
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
参考答案