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题目内容
（河南工业大学电力电子技术(专升本)）
为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( ) (本题2.0分)
A、 du/dt抑制电路
B、 抗饱和电路
C、 di/dt抑制电路
D、 吸收电路
A、 du/dt抑制电路
B、 抗饱和电路
C、 di/dt抑制电路
D、 吸收电路
参考答案