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周口师范学院半导体物理学
[单选题,6.2分] 如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
A.无杂质污染
B.受较强的宇宙射线照射
C.晶体生长完整性好
D.化学配比合理
12[单选题,6.2分] 载流子的漂移运动是由（）引起的。 A.电场 B.浓度差 C.热运动 D.电流
13[多选题,6.2分] 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。 A.本征 B.受主 C.空穴 D.施主 E.电子
[多选题,6.2分] 受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。 A.电子和空穴 B.空穴 C.电子 D.以上说法都不对
[多选题,6.2分] 电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。 A.正 B.负 C.零 D.准粒子 E.粒子
[多选题,7分] 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。 A.变化量 B.常数 C.杂质浓度和杂质类型 D.禁带宽度和温度
[填空题,4分] 当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
[填空题,4分] 硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
[填空题,4分] 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
[填空题,4分] nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
[填空题,4分] n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
[填空题,4分] 半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
[填空题,4分] 半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
[填空题,4分] 若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
[填空题,4分] 已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
12[单选题,6.2分] 载流子的漂移运动是由（）引起的。 A.电场 B.浓度差 C.热运动 D.电流
13[多选题,6.2分] 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。 A.本征 B.受主 C.空穴 D.施主 E.电子
[多选题,6.2分] 受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。 A.电子和空穴 B.空穴 C.电子 D.以上说法都不对
[多选题,6.2分] 电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。 A.正 B.负 C.零 D.准粒子 E.粒子
[多选题,7分] 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。 A.变化量 B.常数 C.杂质浓度和杂质类型 D.禁带宽度和温度
[填空题,4分] 当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
[填空题,4分] 硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
[填空题,4分] 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
[填空题,4分] nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
[填空题,4分] n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
[填空题,4分] 半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
[填空题,4分] 半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
[填空题,4分] 若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
[填空题,4分] 已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。