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周口师范学院半导体物理学
16[单选题,4分] 空穴是()。
A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子
[单选题,4分] 在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度
[单选题,4分] 对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。 A.上移 B.下移 C.不变 D.左移
19[单选题,4分] 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。 A.比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C.和绝缘体的相同 D.和绝缘体的不同
20[单选题,4分] 导带底的电子是()。 A.带正电的有效质量为正的粒子 B.带正电的有效质量为负的准粒子 C.带负电的有效质量为正的粒子 D.带负电的有效质量为负的准粒子
21[单选题,4分] 锗的晶格结构和能带结构分别是（）。 A.金刚石型和直接禁带型 B.闪锌矿型和直接禁带型 C.金刚石型和间接禁带型 D.闪锌矿型和间接禁带型
[单选题,4分] 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。 A.1/e B.1/2 C.0 D.2/e
23[单选题,4分] 金属和半导体接触分为：（）。 A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
4[单选题,4分] 砷有效的陷阱中心位置（） A.靠近禁带中央 B.靠近费米能级 C.远离费米能级 D.远离禁带中央
[单选题,4分] 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。 A.变大，变小 B.变小，变大 C.变小，变小 D.变大，变大
[单选题,4分] 载流子在电场作用下的运动为（）。 A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动
[单选题,4分] 自补偿效应的起因是（） A.材料中先已预存在某种深能级杂质 B.材料中先已预存在某种深能级缺陷 C.掺入的杂质是双性杂质 D.掺杂导致某种缺陷产生
[单选题,4分] Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（） A.点阵中的金属原子空位 B.点阵中的原子间隙 C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷 D.一种在禁带中引入受主能级的位错
[单选题,4分] 最有利陷阱作用的能级位置在（）附近 A.EA B.少子 C.EF D.Ei
[单选题,4分] 电子在晶体中的共有化运动时指（） A.电子在晶体中各处出现的几率相同 B.电子在晶体原胞中个点出现的几率相同 C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同 D.电子在晶体各原胞对应点有相同位相
[单选题,4分] 在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度
[单选题,4分] 对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。 A.上移 B.下移 C.不变 D.左移
19[单选题,4分] 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。 A.比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C.和绝缘体的相同 D.和绝缘体的不同
20[单选题,4分] 导带底的电子是()。 A.带正电的有效质量为正的粒子 B.带正电的有效质量为负的准粒子 C.带负电的有效质量为正的粒子 D.带负电的有效质量为负的准粒子
21[单选题,4分] 锗的晶格结构和能带结构分别是（）。 A.金刚石型和直接禁带型 B.闪锌矿型和直接禁带型 C.金刚石型和间接禁带型 D.闪锌矿型和间接禁带型
[单选题,4分] 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。 A.1/e B.1/2 C.0 D.2/e
23[单选题,4分] 金属和半导体接触分为：（）。 A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
4[单选题,4分] 砷有效的陷阱中心位置（） A.靠近禁带中央 B.靠近费米能级 C.远离费米能级 D.远离禁带中央
[单选题,4分] 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。 A.变大，变小 B.变小，变大 C.变小，变小 D.变大，变大
[单选题,4分] 载流子在电场作用下的运动为（）。 A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动
[单选题,4分] 自补偿效应的起因是（） A.材料中先已预存在某种深能级杂质 B.材料中先已预存在某种深能级缺陷 C.掺入的杂质是双性杂质 D.掺杂导致某种缺陷产生
[单选题,4分] Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（） A.点阵中的金属原子空位 B.点阵中的原子间隙 C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷 D.一种在禁带中引入受主能级的位错
[单选题,4分] 最有利陷阱作用的能级位置在（）附近 A.EA B.少子 C.EF D.Ei
[单选题,4分] 电子在晶体中的共有化运动时指（） A.电子在晶体中各处出现的几率相同 B.电子在晶体原胞中个点出现的几率相同 C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同 D.电子在晶体各原胞对应点有相同位相