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周口师范学院半导体物理学
[单选题,4分] 将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用。
A.施主
B.受主
C.陷阱
D.复合中心
[单选题,4分] 对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。 A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比 C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比
[单选题,4分] 在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。 A.锗 B.磷 C.硼 D.锡
[单选题,4分] 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A.Ec B.Ev C.Eg D.Ef
[单选题,4分] 公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。 A.迁移时间 B.寿命 C.平均自由时间 D.扩散时间
[单选题,4分] 在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（） A.在禁带中线处 B.靠近导带底 C.靠近价带顶 D.以上都不是
[单选题,4分] 当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。 A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p
8[单选题,4分] 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。 A.单调上升 B.单调下降 C.经过一个极小值趋近Ei D.经过一个极大值趋近Ei
[单选题,4分] 有效复合中心的能级必靠近()。 A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级
[单选题,4分] 如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。 A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
[单选题,4分] 本征半导体是指（）的半导体。 A.不含杂质和缺陷 B.电阻率最高 C.电子密度和空穴密度相等 D.电子密度与本征载流子密度相等
[单选题,4分] 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。 A.声学波散射和光学波散射 B.声学波散射和电离杂质散射 C.光学波散射和电离杂质散射 D.光学波散射
13[单选题,4分] 将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。 A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心
[单选题,4分] MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。 A.相同 B.不同 C.无关 D.不确定
[单选题,4分] 砷化稼的能带结构是（）能隙结构。 A.直接 B.间接 C.转换 D.转变
[单选题,4分] 对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。 A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比 C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比
[单选题,4分] 在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。 A.锗 B.磷 C.硼 D.锡
[单选题,4分] 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A.Ec B.Ev C.Eg D.Ef
[单选题,4分] 公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。 A.迁移时间 B.寿命 C.平均自由时间 D.扩散时间
[单选题,4分] 在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（） A.在禁带中线处 B.靠近导带底 C.靠近价带顶 D.以上都不是
[单选题,4分] 当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。 A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p
8[单选题,4分] 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。 A.单调上升 B.单调下降 C.经过一个极小值趋近Ei D.经过一个极大值趋近Ei
[单选题,4分] 有效复合中心的能级必靠近()。 A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级
[单选题,4分] 如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。 A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
[单选题,4分] 本征半导体是指（）的半导体。 A.不含杂质和缺陷 B.电阻率最高 C.电子密度和空穴密度相等 D.电子密度与本征载流子密度相等
[单选题,4分] 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。 A.声学波散射和光学波散射 B.声学波散射和电离杂质散射 C.光学波散射和电离杂质散射 D.光学波散射
13[单选题,4分] 将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。 A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心
[单选题,4分] MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。 A.相同 B.不同 C.无关 D.不确定
[单选题,4分] 砷化稼的能带结构是（）能隙结构。 A.直接 B.间接 C.转换 D.转变